Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

RSM002N06T2L gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

RSM002N06T2L gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

RSM002N06T2L gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
RSM002N06T2L gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  RSM002N06T2L gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

RSM002N06T2L gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: RSM002N06T2L Fabrikant: Rohmhalfgeleider
Beschrijving: MOSFET n-CH 60V 0.25A VMT3 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit

RSM002N06T2L specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 60V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 250mA (Ta)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 2.3V @ 1mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs -
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 15pF @ 25V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 150mW (Ta)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 2,4 Ohm @ 250mA, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat VMT3
Pakket/Geval Dronkaard-723
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

RSM002N06T2L verpakking

Opsporing

RSM002N06T2L gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0RSM002N06T2L gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1RSM002N06T2L gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2RSM002N06T2L gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)