Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

SN7002WH6327XTSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

SN7002WH6327XTSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

SN7002WH6327XTSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
SN7002WH6327XTSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  SN7002WH6327XTSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

SN7002WH6327XTSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: SN7002WH6327XTSA1 Fabrikant: Infineon Technologies
Beschrijving: MOSFET N-CH 60V 230MA DRONKAARD-323 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: SIPMOS®

SN7002WH6327XTSA1 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 60V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 230mA (Ta)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 1.8V @ 26µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 1.5nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 45pF @ 25V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 500mW (Ta)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 5 ohm @ 230mA, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat Pg-sot323-3
Pakket/Geval SC-70, DRONKAARD-323
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

SN7002WH6327XTSA1 verpakking

Opsporing

SN7002WH6327XTSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0SN7002WH6327XTSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1SN7002WH6327XTSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2SN7002WH6327XTSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)