Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

LET9060S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

LET9060S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

LET9060S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
LET9060S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  LET9060S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

LET9060S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: LET9060S Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: DE MACHTSmosfet N-CH PWRSO10 VAN IC RF Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

LET9060S specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype LDMOS
Frequentie 960MHz
Aanwinst 17.2dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie 12A
Geluidsniveau -
Huidig - Test 300mA
Macht - Output 60W
Geschat voltage - 80V
Pakket/Geval PowerSO-10RF Blootgesteld Bodemstootkussen (2 Rechte Lood)
Het Pakket van het leveranciersapparaat PowerSO-10RF (Recht Lood)
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

LET9060S verpakking

Opsporing

LET9060S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0LET9060S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1LET9060S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2LET9060S gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)