Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

BLF184XRGJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

BLF184XRGJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

BLF184XRGJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
BLF184XRGJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  BLF184XRGJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

BLF184XRGJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: BLF184XRGJ Fabrikant: Inc. van de Ampleonv.s.
Beschrijving: RF-FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

BLF184XRGJ specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype (Dubbele) LDMOS, Gemeenschappelijke Bron
Frequentie 108MHz
Aanwinst 23.9dB
Voltage - Test 50V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 100mA
Macht - Output 700W
Geschat voltage - 135V
Pakket/Geval Dronkaard-1214C
Het Pakket van het leveranciersapparaat SOT1214C
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

BLF184XRGJ verpakking

Opsporing

BLF184XRGJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0BLF184XRGJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1BLF184XRGJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2BLF184XRGJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)