Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

BLF8G10LS-300PJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

BLF8G10LS-300PJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

BLF8G10LS-300PJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
BLF8G10LS-300PJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  BLF8G10LS-300PJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

BLF8G10LS-300PJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: BLF8G10LS-300PJ Fabrikant: Inc. van de Ampleonv.s.
Beschrijving: RF-FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

BLF8G10LS-300PJ specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype (Dubbele) LDMOS, Gemeenschappelijke Bron
Frequentie 760.5MHz ~ 800.5MHz
Aanwinst 20.5dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 2A
Macht - Output 65W
Geschat voltage - 65V
Pakket/Geval SOT539B
Het Pakket van het leveranciersapparaat SOT539B
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

BLF8G10LS-300PJ verpakking

Opsporing

BLF8G10LS-300PJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0BLF8G10LS-300PJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1BLF8G10LS-300PJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2BLF8G10LS-300PJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)