Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

BLF9G20LS-160VJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

BLF9G20LS-160VJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

BLF9G20LS-160VJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
BLF9G20LS-160VJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  BLF9G20LS-160VJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

BLF9G20LS-160VJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: BLF9G20LS-160VJ Fabrikant: Inc. van de Ampleonv.s.
Beschrijving: RF-FET LDMOS 65V 19.8DB SOT1120B Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

BLF9G20LS-160VJ specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype LDMOS
Frequentie 1.81GHz ~ 1.88GHz
Aanwinst 19.8dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 800mA
Macht - Output 35.5W
Geschat voltage - 65V
Pakket/Geval Dronkaard-1120B
Het Pakket van het leveranciersapparaat CDFM6
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

BLF9G20LS-160VJ verpakking

Opsporing

BLF9G20LS-160VJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0BLF9G20LS-160VJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1BLF9G20LS-160VJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2BLF9G20LS-160VJ gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)