Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

CE3512K2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

CE3512K2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CE3512K2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
CE3512K2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  CE3512K2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

CE3512K2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: CE3512K2 Fabrikant: Zilog
Beschrijving: RF-FET 4V 12GHZ 4MICROX Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

CE3512K2 specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype pHEMT FET
Frequentie 12GHz
Aanwinst 13.7dB
Voltage - Test 2V
Huidige Classificatie 15mA
Geluidsniveau 0.5dB
Huidig - Test 10mA
Macht - Output 125mW
Geschat voltage - 4V
Pakket/Geval 4-micro-x
Het Pakket van het leveranciersapparaat 4-micro-x
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

CE3512K2 verpakking

Opsporing

CE3512K2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0CE3512K2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1CE3512K2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2CE3512K2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)