Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

CGH09120F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

CGH09120F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

CGH09120F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
CGH09120F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  CGH09120F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

CGH09120F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: CGH09120F Fabrikant: Cree/Wolfspeed
Beschrijving: RF-MOSFET HEMT 28V 440095 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

CGH09120F specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype HEMT
Frequentie 2.5GHz
Aanwinst 21.5dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 1.2A
Macht - Output 120W
Geschat voltage - 84V
Pakket/Geval 440095
Het Pakket van het leveranciersapparaat 440095
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

CGH09120F verpakking

Opsporing

CGH09120F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0CGH09120F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1CGH09120F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2CGH09120F gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)