বার্তা পাঠান
বাড়ি পণ্যফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর

VT6M1T2CR ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

তোমার দর্শন লগ করা অনলাইন চ্যাট এখন

VT6M1T2CR ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

VT6M1T2CR ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে
VT6M1T2CR ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

বড় ইমেজ :  VT6M1T2CR ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

পণ্যের বিবরণ:
উৎপত্তি স্থল: আসল
প্রদান:
ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ: আলোচনা সাপেক্ষ
মূল্য: Negotiable
ডেলিভারি সময়: আলোচনা সাপেক্ষ
পরিশোধের শর্ত: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন, মানিগ্রাম
যোগানের ক্ষমতা: 100000

VT6M1T2CR ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

বিবরণ
অংশ সংখ্যা: VT6M1T2CR প্রস্তুতকারক: রোহম সেমিকন্ডাক্টর
বর্ণনা: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 বিভাগ: ট্রানজিস্টর - FET, MOSFET - অ্যারে
পরিবার: ট্রানজিস্টর - FET, MOSFET - অ্যারে

VT6M1T2CR স্পেসিফিকেশন

পার্ট স্ট্যাটাস সক্রিয়
FET প্রকার এন এবং পি-চ্যানেল
FET বৈশিষ্ট্য লজিক লেভেল গেট, 1.2V ড্রাইভ
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss) 20V
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে 100mA
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস 3.5 ওহম @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি 1V @ 100µA
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস -
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds 7.1pF @ 10V
শক্তি - সর্বোচ্চ 120mW
অপারেটিং তাপমাত্রা 150°C (TJ)
মাউন্ট টাইপ গুফ
প্যাকেজ/কেস 6-এসএমডি, ফ্ল্যাট লিডস
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ VMT6
জাহাজে প্রেরিত কাজ ইউপিএস/ইএমএস/ডিএইচএল/ফেডেক্স এক্সপ্রেস।
কন্ডিশন নতুন আসল কারখানা।

VT6M1T2CR প্যাকেজিং

সনাক্তকরণ

VT6M1T2CR ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 0VT6M1T2CR ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 1VT6M1T2CR ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 2VT6M1T2CR ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 3

যোগাযোগের ঠিকানা
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ব্যক্তি যোগাযোগ: Darek

টেল: +8615017926135

আমাদের সরাসরি আপনার তদন্ত পাঠান (0 / 3000)

অন্যান্য পণ্যসমূহ