পণ্যের বিবরণ:
|
অংশ সংখ্যা: | SI7956DP-T1-GE3 | প্রস্তুতকারক: | বিষয় সিলিকনিক্স |
---|---|---|---|
বর্ণনা: | MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 | বিভাগ: | ট্রানজিস্টর - FET, MOSFET - অ্যারে |
পরিবার: | ট্রানজিস্টর - FET, MOSFET - অ্যারে | সিরিজ: | TrenchFET® |
পার্ট স্ট্যাটাস | সক্রিয় |
---|---|
FET প্রকার | 2 N-চ্যানেল (দ্বৈত) |
FET বৈশিষ্ট্য | লজিক লেভেল গেট |
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss) | 150V |
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে | 2.6A |
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস | 105 mOhm @ 4.1A, 10V |
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি | 4V @ 250µA |
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস | 26nC @ 10V |
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds | - |
শক্তি - সর্বোচ্চ | 1.4W |
অপারেটিং তাপমাত্রা | -55°C ~ 150°C (TJ) |
মাউন্ট টাইপ | গুফ |
প্যাকেজ/কেস | PowerPAK® SO-8 ডুয়াল |
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ | PowerPAK® SO-8 ডুয়াল |
জাহাজে প্রেরিত কাজ | ইউপিএস/ইএমএস/ডিএইচএল/ফেডেক্স এক্সপ্রেস। |
কন্ডিশন | নতুন আসল কারখানা। |
ব্যক্তি যোগাযোগ: Darek
টেল: +8615017926135