বার্তা পাঠান
বাড়ি পণ্যফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর

PMDXB600UNE ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

তোমার দর্শন লগ করা অনলাইন চ্যাট এখন

PMDXB600UNE ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

PMDXB600UNE ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে
PMDXB600UNE ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

বড় ইমেজ :  PMDXB600UNE ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

পণ্যের বিবরণ:
উৎপত্তি স্থল: আসল
প্রদান:
ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ: আলোচনা সাপেক্ষ
মূল্য: Negotiable
ডেলিভারি সময়: আলোচনা সাপেক্ষ
পরিশোধের শর্ত: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন, মানিগ্রাম
যোগানের ক্ষমতা: 100000

PMDXB600UNE ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

বিবরণ
অংশ সংখ্যা: PMDXB600UNE প্রস্তুতকারক: নেক্সেরিয়া ইউএসএ ইনক।
বর্ণনা: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN বিভাগ: ট্রানজিস্টর - FET, MOSFET - অ্যারে
পরিবার: ট্রানজিস্টর - FET, MOSFET - অ্যারে সিরিজ: TrenchFET®

PMDXB600UNE স্পেসিফিকেশন

পার্ট স্ট্যাটাস সক্রিয়
FET প্রকার 2 N-চ্যানেল (দ্বৈত)
FET বৈশিষ্ট্য লজিক লেভেল গেট
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss) 20V
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে 600mA
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস 620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি 950mV @ 250µA
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস 0.7nC @ 4.5V
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds 21.3pF @ 10V
শক্তি - সর্বোচ্চ 265mW
অপারেটিং তাপমাত্রা -55°C ~ 150°C (TJ)
মাউন্ট টাইপ গুফ
প্যাকেজ/কেস 6-XFDFN এক্সপোজড প্যাড
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ 6-DFN (1.1x1)
জাহাজে প্রেরিত কাজ ইউপিএস/ইএমএস/ডিএইচএল/ফেডেক্স এক্সপ্রেস।
কন্ডিশন নতুন আসল কারখানা।

PMDXB600UNE প্যাকেজিং

সনাক্তকরণ

PMDXB600UNE ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 0PMDXB600UNE ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 1PMDXB600UNE ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 2PMDXB600UNE ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 3

যোগাযোগের ঠিকানা
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ব্যক্তি যোগাযোগ: Darek

টেল: +8615017926135

আমাদের সরাসরি আপনার তদন্ত পাঠান (0 / 3000)

অন্যান্য পণ্যসমূহ