বার্তা পাঠান
বাড়ি পণ্যফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর

NTGD4167CT1G ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

তোমার দর্শন লগ করা অনলাইন চ্যাট এখন

NTGD4167CT1G ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

NTGD4167CT1G ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে
NTGD4167CT1G ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

বড় ইমেজ :  NTGD4167CT1G ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

পণ্যের বিবরণ:
উৎপত্তি স্থল: আসল
প্রদান:
ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ: আলোচনা সাপেক্ষ
মূল্য: Negotiable
ডেলিভারি সময়: আলোচনা সাপেক্ষ
পরিশোধের শর্ত: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন, মানিগ্রাম
যোগানের ক্ষমতা: 100000

NTGD4167CT1G ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে

বিবরণ
অংশ সংখ্যা: NTGD4167CT1G প্রস্তুতকারক: সেমিকন্ডাক্টর অন
বর্ণনা: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP বিভাগ: ট্রানজিস্টর - FET, MOSFET - অ্যারে
পরিবার: ট্রানজিস্টর - FET, MOSFET - অ্যারে

NTGD4167CT1G স্পেসিফিকেশন

পার্ট স্ট্যাটাস সক্রিয়
FET প্রকার এন এবং পি-চ্যানেল
FET বৈশিষ্ট্য লজিক লেভেল গেট
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss) 30V
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে 2.6A, 1.9A
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি 1.5V @ 250µA
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস 5.5nC @ 4.5V
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds 295pF @ 15V
শক্তি - সর্বোচ্চ 900mW
অপারেটিং তাপমাত্রা -55°C ~ 150°C (TJ)
মাউন্ট টাইপ গুফ
প্যাকেজ/কেস SOT-23-6 পাতলা, TSOT-23-6
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ 6-TSOP
জাহাজে প্রেরিত কাজ ইউপিএস/ইএমএস/ডিএইচএল/ফেডেক্স এক্সপ্রেস।
কন্ডিশন নতুন আসল কারখানা।

NTGD4167CT1G প্যাকেজিং

সনাক্তকরণ

NTGD4167CT1G ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 0NTGD4167CT1G ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 1NTGD4167CT1G ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 2NTGD4167CT1G ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs অ্যারে 3

যোগাযোগের ঠিকানা
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ব্যক্তি যোগাযোগ: Darek

টেল: +8615017926135

আমাদের সরাসরি আপনার তদন্ত পাঠান (0 / 3000)

অন্যান্য পণ্যসমূহ