বার্তা পাঠান
বাড়ি পণ্যফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর

RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

তোমার দর্শন লগ করা অনলাইন চ্যাট এখন

RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single
RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

বড় ইমেজ :  RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

পণ্যের বিবরণ:
উৎপত্তি স্থল: আসল
প্রদান:
ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ: আলোচনা সাপেক্ষ
মূল্য: Negotiable
ডেলিভারি সময়: আলোচনা সাপেক্ষ
পরিশোধের শর্ত: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন, মানিগ্রাম
যোগানের ক্ষমতা: 100000

RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

বিবরণ
অংশ সংখ্যা: RQ3E130BNTB প্রস্তুতকারক: রোহম সেমিকন্ডাক্টর
বর্ণনা: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 বিভাগ: ট্রানজিস্টর - FETs, MOSFETs - একক
পরিবার: ট্রানজিস্টর - FETs, MOSFETs - একক

RQ3E130BNTB Specifications

Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET Feature -
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 13A, 10V
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-HSMT (3.2x3)
Package / Case 8-PowerVDFN
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

RQ3E130BNTB Packaging

Detection

RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single 0RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single 1RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single 2RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single 3

যোগাযোগের ঠিকানা
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ব্যক্তি যোগাযোগ: Darek

টেল: +8615017926135

আমাদের সরাসরি আপনার তদন্ত পাঠান (0 / 3000)

অন্যান্য পণ্যসমূহ