IRFSL11N50APBF ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ট্রানজিস্টর FETs MOSFETs একক
শ্রেণী:
ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর
দাম:
Negotiable
মূল্যপরিশোধ পদ্ধতি:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন, মানিগ্রাম
বিশেষ উল্লেখ
অংশ সংখ্যা:
IRFSL11N50APBF
প্রস্তুতকারক:
বিষয় সিলিকনিক্স
বর্ণনা:
MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
বিভাগ:
ট্রানজিস্টর - FETs, MOSFETs - একক
পরিবার:
ট্রানজিস্টর - FETs, MOSFETs - একক
পরিচিতি
IRFSL11N50APBF স্পেসিফিকেশন
| পার্ট স্ট্যাটাস | সক্রিয় |
|---|---|
| FET প্রকার | এন-চ্যানেল |
| প্রযুক্তি | MOSFET (ধাতু অক্সাইড) |
| ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss) | 500V |
| বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে | 11A (Tc) |
| ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু) | - |
| Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি | 4V @ 250µA |
| গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস | 51nC @ 10V |
| ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds | 1426pF @ 25V |
| ভিজিএস (সর্বোচ্চ) | - |
| FET বৈশিষ্ট্য | - |
| শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ) | 190W (Tc) |
| Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস | 550 mOhm @ 6.6A, 10V |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| মাউন্ট টাইপ | গর্তের দিকে |
| সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ | TO-262-3 |
| প্যাকেজ/কেস | TO-262-3 লং লিডস, I²Pak, TO-262AA |
| জাহাজে প্রেরিত কাজ | ইউপিএস/ইএমএস/ডিএইচএল/ফেডেক্স এক্সপ্রেস। |
| কন্ডিশন | নতুন আসল কারখানা। |
IRFSL11N50APBF প্যাকেজিং
সনাক্তকরণ
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ:
Negotiable