|
تفاصيل المنتج:
|
| رقم القطعة: | SIHJ6N65E-T1-GE3 | الصانع: | فيشاي Siliconix |
|---|---|---|---|
| وصف: | MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L | فئة: | الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية |
| عائلة: | الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية |
| حالة الجزء | نشيط |
|---|---|
| نوع FET | قناة N |
| تكنولوجيا | MOSFET (أكسيد المعادن) |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 650 فولت |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 5.6 أمبير (ح) |
| محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 10 فولت |
| Vgs (th) (ماكس) @ Id | 4V @ 250µA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 596pF @ 100V |
| Vgs (ماكس) | ± 30 فولت |
| ميزة FET | - |
| تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 74 وات (ح) |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 868 مللي أوم @ 3A ، 10 فولت |
| درجة حرارة التشغيل | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ) |
| نوع التركيب | سطح جبل |
| حزمة جهاز المورد | PowerPAK® SO-8 |
| العبوة / العلبة | PowerPAK® SO-8 |
| شحنة | UPS / EMS / DHL / FedEx Express. |
| الشرط | مصنع أصلي جديد. |
اتصل شخص: Darek
الهاتف :: +8615017926135
