أرسل رسالة
منزل المنتجاتحقل التأثير الترانزستور

STP100NF04 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

ابن دردش الآن

STP100NF04 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

STP100NF04 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد
STP100NF04 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

صورة كبيرة :  STP100NF04 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: إبداعي
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: قابل للتفاوض
الأسعار: Negotiable
وقت التسليم: قابل للتفاوض
شروط الدفع: T / T ، L / C ، D / A ، D / P ، T / T ، ويسترن يونيون ، موني جرام
القدرة على العرض: 100000

STP100NF04 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد

وصف
رقم القطعة: STP100NF04 الصانع: STMicroelectronics
وصف: MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 فئة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية
عائلة: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية مسلسل: STripFET ™ II

مواصفات STP100NF04

حالة الجزء نشيط
نوع FET قناة N
تكنولوجيا MOSFET (أكسيد المعادن)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) 40 فولت
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية 120 أمبير (ح)
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) 10 فولت
Vgs (th) (ماكس) @ Id 4V @ 250µA
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 150nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds 5100pF @ 25V
Vgs (ماكس) ± 20 فولت
ميزة FET -
تبديد الطاقة (الحد الأقصى) 300 واط (ح)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs 4.6 mOhm @ 50A، 10V
درجة حرارة التشغيل -55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية (TJ)
نوع التركيب من خلال ثقب
حزمة جهاز المورد TO-220AB
العبوة / العلبة TO-220-3
شحنة UPS / EMS / DHL / FedEx Express.
الشرط مصنع أصلي جديد.

التعبئة والتغليف STP100NF04

كشف

STP100NF04 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد 0STP100NF04 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد 1STP100NF04 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد 2STP100NF04 مجال تأثير الترانزستور الترانزستور FETs MOSFETs واحد 3

تفاصيل الاتصال
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

اتصل شخص: Darek

الهاتف :: +8615017926135

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)