SIHS90N65E-E3 ترانزستور تأثير المجال الترانزستور FETs MOSFETs واحد
المواصفات
رقم القطعة:
SIHS90N65E-E3
الصانع:
فيشاي Siliconix
وصف:
موسفيت N-CH 650V 87A SUPER247
فئة:
الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية
عائلة:
الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية
مقدمة
مواصفات SIHS90N65E-E3
حالة الجزء | نشيط |
---|---|
نوع FET | قناة N |
تكنولوجيا | MOSFET (أكسيد المعادن) |
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 650 فولت |
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 87 أمبير (ح) |
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 10 فولت |
Vgs (th) (ماكس) @ Id | 4V @ 250µA |
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 591nC @ 10V |
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 11826pF @ 100V |
Vgs (ماكس) | ± 30 فولت |
ميزة FET | - |
تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 625 واط (ح) |
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 29 mOhm @ 45A، 10V |
درجة حرارة التشغيل | -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ) |
نوع التركيب | من خلال ثقب |
حزمة جهاز المورد | SUPER-247 (TO-274AA) |
العبوة / العلبة | TO-247-3 |
شحنة | UPS / EMS / DHL / FedEx Express. |
الشرط | مصنع أصلي جديد. |
التعبئة والتغليف SIHS90N65E-E3
كشف
أرسل RFQ
مخزون:
الـ MOQ:
Negotiable