أرسل رسالة
المنزل > المنتجات > حقل التأثير الترانزستور > IPW65R099C6FKSA1 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

IPW65R099C6FKSA1 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

الفئة:
حقل التأثير الترانزستور
سعر:
Negotiable
طريقة الدفع او السداد:
T / T ، L / C ، D / A ، D / P ، T / T ، ويسترن يونيون ، موني جرام
المواصفات
رقم القطعة:
IPW65R099C6FKSA1
الصانع:
إنفينيون تكنولوجيز
وصف:
MOSFET N-CH 650V 38A TO-247
فئة:
الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية
عائلة:
الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية
مسلسل:
CoolMOS ™
مقدمة

مواصفات IPW65R099C6FKSA1

حالة الجزء نشيط
نوع FET قناة N
تكنولوجيا MOSFET (أكسيد المعادن)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) 650 فولت
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية 38 أمبير (ح)
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) 10 فولت
Vgs (th) (ماكس) @ Id 3.5 فولت @ 1.2 مللي أمبير
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 127nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds 2780pF @ 100V
Vgs (ماكس) ± 20 فولت
ميزة FET -
تبديد الطاقة (الحد الأقصى) 278 وات (ح)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs 99 مللي أوم @ 12.8 أمبير ، 10 فولت
درجة حرارة التشغيل -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
نوع التركيب من خلال ثقب
حزمة جهاز المورد PG-TO247-3
العبوة / العلبة TO-247-3
شحنة UPS / EMS / DHL / FedEx Express.
الشرط مصنع أصلي جديد.

تغليف IPW65R099C6FKSA1

كشف

IPW65R099C6FKSA1 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحدIPW65R099C6FKSA1 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحدIPW65R099C6FKSA1 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحدIPW65R099C6FKSA1 المجال تأثير الترانزستور الترانزستورات FETs MOSFETs واحد

أرسل RFQ
مخزون:
الـ MOQ:
Negotiable